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• 工作特性– 电压范围：2.7 V 至 5.5 V – 环境温度范围：-40 °C 至 105 °C HSRUN模式，-40 °C 至 125 °C（RUN 模式）

• Arm™ Cortex-M4F/M0+ 内核，32 位 CPU – 支持高达 112 MHz 的频率（HSRUN 模式）每MHz为1.25 Dhrystone MIPS

– 基于 Armv7 架构的 Arm Core 和拇指®-2 ISA – 集成数字信号处理器 （DSP） 

– 可配置的嵌套向量中断控制器（英伟达）– 单精度浮点单元 （FPU）

•时钟接口

– 4 - 40 MHz 快速外部振荡器 （SOSC），具有至 50 MHz DC 外部方形输入时钟输入外部时钟模式

– 48 MHz 快速内部 RC 振荡器 （FIRC）– 8 MHz 慢速内部 RC 振荡器 （SIRC）– 128 kHz 低功耗振荡器 （LPO）

– 高达 112 MHz （HSRUN） 系统锁相环路 （SPLL）– 高达 20 MHz 的 TCLK 和 25 MHz 的 SWD_CLK

– 32 kHz 实时计数器外部时钟（RTC_CLKIN）

• 电源管理– 低功耗 Arm Cortex-M4F/M0+ 内核，具有卓越的能源效率– 电源管理控制器 （PMC） 具有多个电源模式：HSRUN、RUN、STOP、VLPR 和VLPS的。注意：CSEc（安全）或EEPROM写入/擦除将在 HSRUN 模式下触发错误标志 （112MHz），因为此用例不允许同时执行。

设备将需要切换到 RUN 模式 （80 Mhz） 以执行 CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除。– 支持时钟门控和低功耗操作特定外围设备。

• 内存和内存接口 – 高达 2 MB 的程序闪存，带 ECC – 64 KB FlexNVM，用于带 ECC 的数据闪存和EEPROM仿真。注意：CSEc（安全性）或

EEPROM 写入/擦除将触发错误标志 HSRUN 模式 （112 MHz），因为此用例是不允许同时执行。设备需要切换到 RUN 模式 （80 MHz） 以执行 CSEc（安全）或 EEPROM 写入/擦除。– 高达 256 KB 的 SRAM，带 ECC– 高达 4 KB 的 FlexRAM，可用作 SRAM 或EEPROM仿真

– 高达 4 KB 的代码缓存，以最大限度地降低性能内存访问 LA 的影响访问延迟– 支持 HyperBus™ 的 QuadSPI

• 混合信号模拟– 多达两个 12 位模数转换器（ADC），每个通道最多 32 个通道模拟输入模块 

– 一个具有内部 8 位的模拟比较器 （CMP）数模转换器 （DAC）

• 调试功能– 串行线 JTAG 调试端口 （SWJ-DP） 组合– 调试观察点和跟踪 （DWT）– 仪器跟踪宏单元 （ITM）

– 测试端口接口单元 （TPIU）– 闪存贴片和断点 （FPB） 单元

• 人机界面（HMI）

– 多达 156 个具有中断功能的 GPIO 引脚– 不可屏蔽中断 （NMI）